![RFD12N06RLESM9A](http://media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TO-252-3.jpg)
Номер детали производителя | RFD12N06RLESM9A |
---|---|
Производитель / Марка | ON Semiconductor |
Количество на складе | 38220 более |
Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
Срок поставки | 1-2 дня |
Год производства (DC) | последний |
Скачать спецификацию | RFD12N06RLESM9A.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RFD12N06RLESM9A в течение 24 часов.
- номер части
- RFD12N06RLESM9A
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 63 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 15nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±16V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 485pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 49W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- TO-252AA
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RFD12N06RLESM9A
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "RFD12"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
RFD12N06 | FAIRCHILD | RFD12N06 FAIRCHILD IC TO-252 |
RFD12N06L | INTERSIL | RFD12N06L INTERSIL IC TO-251 |
RFD12N06LE | FAIRCHILD | RFD12N06LE FAIRCHILD IC TO-251 |
RFD12N06REL | FAIRCHILD | RFD12N06REL FAIRCHILD IC TO-252 |
RFD12N06RL | HARRIS | RFD12N06RL HARRIS IC SOT252 |
RFD12N06RLE | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
RFD12N06RLES | INTERSIL | RFD12N06RLES INTERSIL IC TO-252 |
RFD12N06RLESM | INTERSIL | 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs IC |
RFD12N06RLESM @@@@@ | FAIRCHILD | RFD12N06RLESM @@@@@ FAIRCHILD IC TO-252(DPAK) |
RFD12N06RLESM-NL | FAIRCHILD | RFD12N06RLESM-NL FAIRCHILD IC DPAK |
rfd12n06rlesm9 | FAIRCHILD | rfd12n06rlesm9 FAIRCHILD IC Original |
RFD12N06RLESM9A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |