MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR |
|---|---|
| Производитель / Марка | Micron Technology Inc. |
| Количество на складе | 63700 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR в течение 24 часов.
- номер части
- MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип памяти
- Volatile
- Формат памяти
- DRAM
- Технологии
- SDRAM - Mobile LPDDR4
- Размер памяти
- 16Gb (256M x 64)
- Частота часов
- 1600MHz
- Время цикла записи - слово, страница
-
- Время доступа
-
- Интерфейс памяти
-
- Напряжение - Поставка
- 1.1V
- Рабочая Температура
- -30°C ~ 85°C (TC)
- Тип монтажа
-
- Упаковка / чехол
-
- Пакет устройств поставщика
-
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.
Связанные ключевые слова "MT53B256M6"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MT53B256M64D2NH-062 WT ES:A | MICRON | MT53B256M64D2NH-062 WT ES:A Z9SJC MICRON Memory IC |
| MT53B256M64D2NH-062 WT ES:B | MICRON | MT53B256M64D2NH-062 WT ES:B Z9SFG MICRON Memory IC |
| MT53B256M64D2NH-062 WT:B | MICRON | MT53B256M64D2NH-062 WT:B D9SKH MICRON Memory IC |
| MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NH-125 WT ES:A | MICRON | MT53B256M64D2NH-125 WT ES:A Z9SJB MICRON Memory IC |
| MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NK-053 WT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NK-062 WT ES:B | MICRON | MT53B256M64D2NK-062 WT ES:B Z9SFJ MICRON Memory IC |
| MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA |
| MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA |