Номер детали производителяCDBGBSC201200-G
Производитель / МаркаComchip Technology
Количество на складе71340 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеDIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Категория продуктаДиоды - выпрямители - массивы
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию CDBGBSC201200-G.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение CDBGBSC201200-G в течение 24 часов.

номер части
CDBGBSC201200-G
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Конфигурация диода
1 Pair Common Cathode
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)
25.9A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
1.8V @ 10A
скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr
100µA @ 1200V
Рабочая температура - Соединение
-55°C ~ 175°C
Тип монтажа
Through Hole
Упаковка / чехол
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
CDBGBSC201200-G

Связанные компоненты сделаны Comchip Technology

Связанные ключевые слова "CDBGB"

номер части производитель Описание
CDBGBSC101200-G Comchip Technology DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
CDBGBSC201200-G Comchip Technology DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
CDBGBSC20650-G Comchip Technology DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER