V10PM12-M3/87A Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
| Номер детали производителя | V10PM12-M3/87A |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Количество на складе | 62370 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A |
| Категория продукта | Диоды - выпрямители - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | V10PM12-M3/87A.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение V10PM12-M3/87A в течение 24 часов.
- номер части
- V10PM12-M3/87A
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип диода
- Schottky
- Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
- 120V
- Текущий - средний отрегулированный (Io)
- 3.9A (DC)
- Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
- 830mV @ 10A
- скорость
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr)
-
- Текущий - обратный утечек @ Vr
- 400µA @ 120V
- Емкость @ Vr, F
-
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- TO-277, 3-PowerDFN
- Пакет устройств поставщика
- TO-277A (SMPC)
- Рабочая температура - Соединение
- -40°C ~ 150°C
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- V10PM12-M3/87A
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
Связанные ключевые слова "V10P"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10-M3/G86A | VISHAY | V10P10-M3/G86A original vishay components |
| V10P10E386A | VISHAY | V10P10E386A original vishay components |
| V10P10HE3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10HE3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
| V10P10HM3/87A | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V10P10HM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A |